佰維存儲公告稱，2026 年第一季度實現營業收入 68.14 億元，同比增長 341.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為 28.99 億元，同比扭虧為盈。業績變動主要系本期業績大幅增長，主要受益于 AI 算力爆發，存儲行業進入高景氣周期，市場需求旺盛推動產品價格持續上漲。

受此消息催化，科創芯片 ETF ( 588290 ) 上漲 0.5%，成分股中船特氣上漲 7.2%，芯源微上漲 4%，峰岹科技上漲 3.5%，聯蕓科技上漲 3.01%，納芯微上漲 2.43%。拉長時間看，截至上一個交易日收盤，科創芯片 ETF ( 588290 ) 近 1 周累計上漲 5.15%。

熱點解讀

當前，存儲行業進入新一輪景氣周期，DRAM 合約價（芯片供應商與客戶之間簽訂的長期供應合同中的價格）預計 2026 年第一季度季增 90% 至 95%，第二季度漲價已提前鎖定，再漲約 30%。TrendForce 數據顯示，第二季度 DRAM 合約價將季增 58% 至 63%，NAND Flash 合約價則季增 70% 至 75%。Micron 財報顯示，DRAM 業務營收同比增長 207%，環比增長 74%，產品 ASP 環比上漲約 65%；NAND Flash 業務營收創歷史新高，環比增長 82%，產品 ASP 環比上漲 75%～79%。

漲價背后，存儲芯片產能供應持續吃緊。大型 AI 數據中心建設需求激增，促使科技公司大量囤積存儲芯片，導致整個行業處于短缺狀態。全球 HBM ( 高帶寬內存 ) 未來 3 年復合年增長率預計超 40%，短缺態勢將持續到 2026 年以后。Samsung 已確認正在開發第八代高帶寬內存 HBM5，核心底層芯片將采用 2nm 工藝打造。

為匹配市場需求，Micron 上調資本開支規劃，2026 財年資本支出預計超 250 億美元，2027 財年將繼續大幅增長，重點投向 HBM 及 DRAM 產能建設。2026 年資本支出重點將轉向制程技術升級與混合鍵合等先進工藝的導入，位元供給增長幅度有限，供不應求的市場狀態或將持續全年。Samsung 與 NVIDIA 合作深化，后者新款 AI 推理芯片已委托三星晶圓代工事業部負責生產。

國產存儲也在加速發展，長鑫存儲已正式推出 LPDDR5X 產品，長江存儲三期建設正邁向 100% 設備國產化目標。CBA+4F2 在制程節點壓力以及混合鍵合技術積累加持之下或成為國產存儲彎道超車的必由之路。國內利基存儲市場亦將在 AI 定制化存儲推動下迎來發展良機，長江存儲和長鑫存儲作為國內存儲芯片制造龍頭企業，有望為產業鏈帶來諸多機會。

投資邏輯

存儲行業正迎來新一輪景氣周期，DRAM 與 NAND Flash 合約價格持續上漲，AI 算力需求爆發導致產能供應吃緊，全球 HBM 未來 3 年復合年增長率預計超 40%。存儲原廠如 Micron 上調資本開支規劃，重點投向 HBM 及 DRAM 產能建設，2026 年將轉向制程技術升級與先進工藝導入。國產存儲加速發展，長鑫存儲推出 LPDDR5X 產品，長江存儲三期建設邁向 100% 設備國產化，CBA+4F2 技術或成為國產存儲彎道超車路徑，國內利基市場在 AI 定制化存儲推動下迎來發展良機。